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...于5 ns; ★(9)導(dǎo)通同步精度(兩支之間):小于0.5 ns; (10)光導(dǎo)開關(guān)材質(zhì)為砷化鎵,兩端有銅電極。電極與光導(dǎo)開關(guān)基體之間通過焊接相連。光導(dǎo)開關(guān)和電極均附著在氮化鋁基體上,以便散熱。大致結(jié)構(gòu)圖見第三章技術(shù)要求。 (11)工作場景: 50 Hz,20 s; 注:若公告內(nèi)容與第三章技術(shù)要求內(nèi)容不一致,以第三章技術(shù)要求為準。 3.3 最高限價:20萬元...( 砷化鎵 在正文中 )
...8:11:00 采購明細: 序號,商品名稱,品類,采購數(shù)量,最少響應(yīng)量,備注 1,叉指電極砷化鎵基片,其他物資,20.0片,20.0片,30天內(nèi)交貨...( 砷化鎵 在正文中 )
...叉指電極砷化鎵基片 可報價開始時間:2024-12-02 16:11:00 可報價結(jié)束時間:2024-12-07 16:11:00 編號:XJ***9 發(fā)布單位:西安應(yīng)用光學(xué)研究所 最終單位:西安應(yīng)用光學(xué)研究所 參與方式:公開詢價 出價方式:一次性出價 付款方式:掛賬半年后付款 是否必須加蓋電子簽章:否 保證金:500.0元 聯(lián)系人:吳江輝...( 砷化鎵 在正文中 )
...28V 蓄電池組容量 不小于10Ah 二次供電 3.3V、5V、12V等 太陽電池 三結(jié)砷化鎵 星務(wù)數(shù)管 備份方式 冷熱冗余 處理器架構(gòu) ARM Cortex-R5F(雙核鎖步運行) 存儲容量 程序 FLASH:4MB RAM:512KB+2MB(支持ECC) 總線接口 支持CAN(雙冗余) 異步RS422/485 測控數(shù)傳 U測控 頻段 U頻段 上行遙控...( 砷化鎵 在正文中 )
...減、合成、濾波后輸出到天線口,采用多級放大,為了只支持大功率,大寬帶,所有放大器器件均采用砷化鎵和氮化鎵”,未完全響應(yīng)招標文件要求,偏離招標文件要求。(2)根據(jù)招標文件第五章供貨要求*8.12項要求:“干擾功率:0.225 GHz~0.52GHz:不小于100W;0.52 GHz~0.8GHz:不小于50W(等效輻射功率,中心頻率、法向方向);0.8 GHz...( 砷化鎵 在正文中 )
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...西安菲爾特金屬過濾材料股份有限公司 高溫?zé)煔獬龎m用金屬濾袋 7 西安唐晶量子科技有限公司 砷化鎵(GaAs)外延片 8 西安鋼研功能材料股份有限公司 4J36合金板材 9 陜西固勤材料技術(shù)有限公司 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅輥棒 10 陜西特種橡膠制品有限公司 核用管道耐腐蝕EPDM襯膠 11 西安華澤道路材料有限公司 EF液態(tài)融雪劑 12 西安寶德九土新材料有限公司...( 砷化鎵 在正文中 )
...西安菲爾特金屬過濾材料股份有限公司 高溫?zé)煔獬龎m用金屬濾袋 7 西安唐晶量子科技有限公司 砷化鎵(GaAs)外延片 8 西安鋼研功能材料股份有限公司 4J36合金板材 9 陜西固勤材料技術(shù)有限公司 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅輥棒 10 陜西特種橡膠制品有限公司 核用管道耐腐蝕EPDM襯膠 11 西安華澤道路材料有限公司 EF液態(tài)融雪劑 12 西安寶德九土新材料有限公司...( 砷化鎵 在正文中 )
...合等離子刻蝕設(shè)備),1臺 本設(shè)備用于化合物半導(dǎo)體芯片制造中干法刻蝕氮化稼(工藝驗收指標)、砷化鎵(協(xié)助調(diào)試)、氮化硅\氧化硅工藝(工藝驗收指標) 3、投標人資格要求 投標人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:1)投標人: a.合法注冊(境內(nèi)投標人為獨立法人) b.投標人為貿(mào)易公司或代理商時,必須持有制造商針對本次招標項目向投標人出具的合法有效授權(quán)書。 c.投標人持有開戶銀行...( 砷化鎵 在正文中 )
...合等離子刻蝕設(shè)備),1臺 本設(shè)備用于化合物半導(dǎo)體芯片制造中干法刻蝕氮化稼(工藝驗收指標)、砷化鎵(協(xié)助調(diào)試)、氮化硅\氧化硅工藝(工藝驗收指標) 3、投標人資格要求 投標人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:1)投標人: a.合法注冊(境內(nèi)投標人為獨立法人) b.投標人為貿(mào)易公司或代理商時,必須持有制造商針對本次招標項目向投標人出具的合法有效授權(quán)書。 c.投標人持有開戶銀行...( 砷化鎵 在正文中 )
...不得同時參加采購活動; 五、擬單一來源采購供應(yīng)商:西安交通大學(xué) 六、申請理由: 本項目所需砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)直流工作電壓高(>40kV),延時抖動小(<1ns),壽命長,觸發(fā)能量低(<30μJ)、體積小,工藝復(fù)雜,研制難度大,經(jīng)項目組多方調(diào)研,只找到1家候選供應(yīng)商有相關(guān)研制經(jīng)驗,能實現(xiàn)相應(yīng)的指標要求,風(fēng)險可控,供應(yīng)商為西安交通大學(xué),因此,擬對此項目采用單一來源方...( 砷化鎵 在正文中 )
...不得同時參加采購活動; 五、擬單一來源采購供應(yīng)商:西安交通大學(xué) 六、申請理由: 本項目所需砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)直流工作電壓高,延時抖動小,壽命長,觸發(fā)能量低、體積小,工藝復(fù)雜,研制難度大,經(jīng)項目組多方調(diào)研,只找到1家候選供應(yīng)商有相關(guān)研制經(jīng)驗,能實現(xiàn)相應(yīng)的指標要求,風(fēng)險可控,供應(yīng)商為西安交通大學(xué),因此,擬對此項目采用單一來源方式進行采購。 七、公示期限:公示期為本公...( 砷化鎵 在正文中 )
...不得同時參加采購活動; 五、擬單一來源采購供應(yīng)商:西安交通大學(xué) 六、申請理由: 本項目所需砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)直流工作電壓高,延時抖動小,壽命長,觸發(fā)能量低、體積小,工藝復(fù)雜,研制難度大,經(jīng)項目組多方調(diào)研,只找到1家候選供應(yīng)商有相關(guān)研制經(jīng)驗,能實現(xiàn)相應(yīng)的指標要求,風(fēng)險可控,供應(yīng)商為西安交通大學(xué),因此,擬對此項目采用單一來源方式進行采購。 七、公示期限:公示期為本公...( 砷化鎵 在正文中 )
...不得同時參加采購活動; 五、擬單一來源采購供應(yīng)商:西安交通大學(xué) 六、申請理由: 本項目所需砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)直流工作電壓高,延時抖動小,壽命長,觸發(fā)能量低、體積小,工藝復(fù)雜,研制難度大,經(jīng)項目組多方調(diào)研,只找到1家候選供應(yīng)商有相關(guān)研制經(jīng)驗,能實現(xiàn)相應(yīng)的指標要求,風(fēng)險可控,供應(yīng)商為西安交通大學(xué),因此,擬對此項目采用單一來源方式進行采購。 七、公示期限:公示期為本公...( 砷化鎵 在正文中 )
...不得同時參加采購活動; 五、擬單一來源采購供應(yīng)商:西安交通大學(xué) 六、申請理由: 本項目所需砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)直流工作電壓高,延時抖動小,壽命長,觸發(fā)能量低、體積小,工藝復(fù)雜,研制難度大,經(jīng)項目組多方調(diào)研,只找到1家候選供應(yīng)商有相關(guān)研制經(jīng)驗,能實現(xiàn)相應(yīng)的指標要求,風(fēng)險可控,供應(yīng)商為西安交通大學(xué),因此,擬對此項目采用單一來源方式進行采購。 七、公示期限:公示期為本公...( 砷化鎵 在正文中 )
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