關(guān)于申報上海市2024年度“科技創(chuàng)新行動計劃”超導領(lǐng)域技術(shù)攻關(guān)項目的通知

學院、部、中心：

為加快建設具有全球****中心，推動超導領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)，根據(jù)《**市建設具有全球****中心“十四五”規(guī)劃》，****委員會特發(fā)布本指南。

一、征集范圍

專題一、超導材料技術(shù)

方向1：基于離子輻照的超導帶材強場性能提升技術(shù)研究

研究目標：開發(fā)連續(xù)離子輻照工藝，提升高溫超導帶材強磁場性能，實現(xiàn)百米級超導帶材批量化生產(chǎn)（帶材Je達到1000 A/mm2@20 K/20 T，抗拉強度＞500MPa@77K）。

研究內(nèi)容：研究離子輻照磁通釘扎優(yōu)化技術(shù)，闡明強磁****中心的協(xié)同作用機制，開發(fā)卷對卷離子束輻照工藝，研制強場用高性能高溫超導帶材，并進行測試驗證。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過500萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費與申請資助經(jīng)費的比例不低于1:1。

申報主體要求：本市企業(yè)。

方向2：強場動態(tài)磁體用超導帶材性能提升技術(shù)研究

研究目標：面向高溫超導動態(tài)磁體交變負載運行工況，研制高性能超導帶材，實現(xiàn)百米級超導帶材批量化生產(chǎn)（Ic＞750A/4mm@20K/5T；循環(huán)加載值為500 MPa的萬次拉伸應力后，Ic衰減＜10%)。

研究內(nèi)容：開展超導帶材多場耦合的結(jié)構(gòu)仿真和性能表征，解析高溫超導材料在20K有效缺陷結(jié)構(gòu)，研究超導帶材電-熱-力穩(wěn)定性提升工藝，制備高性能帶材并進行測試驗證。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過500萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費與申請資助經(jīng)費的比例不低于1:1。

申報主體要求：本市企業(yè)。

方向3：大尺寸超導靶材批量化制備技術(shù)研究

研究目標：研制大尺寸高溫超導鍍膜靶材（直徑≥254 mm,致密度達到理論密度的85%以上，純度≥99.9%），實現(xiàn)百米級超導帶材連續(xù)制備（臨界電流Ic≥120A/4mm@77K，Ic均勻性在±10%以內(nèi)）。

研究內(nèi)容：研究大尺寸、高純度、組分可調(diào)的超導靶材批量化制備關(guān)鍵技術(shù)，建立高性能靶材檢測與評價體系，開展定制化靶材的高性能超導薄膜鍍制工藝研究。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過200萬元，企業(yè)自籌經(jīng)費與申請資助經(jīng)費的比例不低于1:1。

申報主體要求：本市企業(yè)。

專題二、超導磁體技術(shù)

方向4：****中心螺線管模型磁體交流損耗特性研究

研究目標：****中心螺線管磁體交流損耗形成機制，研制聚變用模型磁體，20K下最高磁場＞10T，自場磁體變化率＞3T/s，背景磁場變化率＞0.15T/s，新型結(jié)構(gòu)磁體交流損耗下降70%以上。

研究內(nèi)容：****中心螺線管模型磁體的電磁特性模擬與結(jié)構(gòu)綜合優(yōu)化，獲取磁體核心工藝窗口并試制模型磁體，研究磁體交流損耗形成機制，搭建交流損耗測試平臺并進行驗證。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過500萬元。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

方向5：20K溫區(qū)高效制冷機技術(shù)研究

研究目標：開展20K溫區(qū)制冷機研制，實現(xiàn)單臺制冷量＞50W、比卡諾效率＞8.5%、無故障運行時間＞10000小時，制備樣機并開展應用驗證。

研究內(nèi)容：研究20K制冷循環(huán)損失機理、高效優(yōu)化設計策略、故障和失效模式以及**命保障措施，研制20K制冷機并開展應用驗證。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過2個項目，每項資助額度不超過200萬元。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

專題三、超導應用技術(shù)

方向6：大尺寸高溫超導薄膜生長技術(shù)及其應用器件研究

研究目標：研究高溫超導薄膜磁控濺射法生長技術(shù)（尺寸≥2英寸、厚度5-70nm、表面粗糙度≤2nm、JC≥2 MA/cm2@77K），制備高溫超導SQUID器件（噪聲≤50 fT/Hz1/2）并測試驗證。

研究內(nèi)容：研究高溫超導薄膜磁控濺射生長工藝及薄膜品質(zhì)的構(gòu)效關(guān)系，揭示薄膜物性與超導電子器件性能之間的關(guān)聯(lián)，進而研制高溫超導量子干涉器件，并開展物探測試驗證。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過200萬元。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

方向7：面向鎂合金形變熱處理的高溫超導應用技術(shù)研究

研究目標：面向航天裝備輕量化需求，開發(fā)基于3T高溫超導磁感應的鎂合金快速均勻熱輸入裝置，研究高溫超導形變熱處理技術(shù)，制備大尺寸高性能鎂合金鍛件。

研究內(nèi)容：優(yōu)化大體積鎂合金的均勻快速熱輸入裝置設計，調(diào)控高溫超導強磁場環(huán)境，研究微觀組織結(jié)構(gòu)形成與演化規(guī)律及其對力學性能的作用機制，研制直徑＞800mm、抗拉強度＞450MPa的高性能鎂合金鍛件。

經(jīng)費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，資助額度不超過200萬元。

執(zhí)行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

二、申報要求

除滿足前述相應條件外，還須符合以下要求：

1.項目申報單位應當是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。

2.對于申請人在以往市級財政資****科技部、國家自然科學基金等）資助項目基礎(chǔ)上提出的新項目，應明確闡述二者的異同、繼承與發(fā)展關(guān)系。

3.所有申報單位和項目參與人應遵守科研誠信管理要求，項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

5.所有申報單位和項目參與人應遵守科技倫理準則。擬開展的科技活動應進行科技倫理風險評估，涉及科技部《科技倫理審查辦法（試行）（國科發(fā)監(jiān)〔2023〕167號）第二條所列范圍科技活動的，應按要求進行科技倫理審查并提供相應的科技倫理審查批準材料。

6.已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。

7.項目經(jīng)費預算編制應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經(jīng)費管理的有關(guān)要求。

三、申報方式

1.項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國**”門戶網(wǎng)站（http://www.****.cn）--政務服務--點擊“**市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名https://czkj.****.cn/進入申報頁面：

【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應的指南專題，進行項目申報；

【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項目的填報。

有關(guān)操作可參閱在線幫助。

2.項目網(wǎng)上填報起始時間為2024年9月25日9:00，截止時間（含申報單位網(wǎng)上審核提交）為2024年10月17日16:30。

請項目申報人于2024年10月14日10:00前網(wǎng)上提交申報書。

四、評審方式

采用一輪通訊評審方式。

五、立項公示

**市科委將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。

六、咨詢電話

服務熱線：****205114（座機）、****205114（手機）

聯(lián)系人：邢晨晨

聯(lián)系電話：****1237

科研處

2024年9月18日