DY2024028-北京大學圖形化SOI襯底片單一來源公示

****實驗室主要從事硅基光電子器件及片上系統(tǒng)集成方面的研究，目前承擔了KJW重點項目的研究任務，根據(jù)研究進度需求，需定制一批圖形化SOI襯底片。項目研究需要實現(xiàn)高速硅基光電子器件的片上集成，主要包括片**速電光調(diào)制器、高速光電探測器、低損耗片上波導及耦合器等。在研究的過程中，需要利用國外硅基光電子芯片的流片工藝平臺來實現(xiàn)項目的指標要求，其中調(diào)制器/探測器要求30GHz帶寬，調(diào)制器驅(qū)動電壓小于5V，探測器響應度大于0.7A/W，而要實現(xiàn)這些高性能的指標要求，就需要至少90nm線寬的硅光工藝平臺。

經(jīng)過調(diào)研，****工廠有新加坡AMF、新加坡CompoundTek公司，國內(nèi)有**CUMEC、****研究院。

新加坡AMF、**CUMEC、****研究院均不能滿足項目的指標要求，具體理由如下：

1. **CUMEC、****研究院用的是180nm工藝，最小線寬是180nm，無法加工出滿足精度要求的器件，大線寬導致的大工藝誤差會極大的影響器件性能的均一性、波導及耦合器損耗等性能指標，導致無法滿足項目要求。

2. 新加坡AMF公司雖然加工線寬具有90nm能力，但是其不開放PDK二次加工編輯，無法修改其PDK文件。此外，AMF公司不提供工藝定制服務，例如其固定離子注入濃度參數(shù)，無法根據(jù)我們設計的器件性能要求進行定制化工藝加工，因此生產(chǎn)出的器件也無法達到項目所需的性能要求。

3. 新加坡CompoundTek公司具有90nm線寬的能力，且開放PDK二次加工編輯，****研究所需的所有芯片加工要求。

綜上所述，故擬申請采購圖形化SOI襯底片(型號Active block)，申請以單一來源的方式進行采購。

單一來源公示2024年8月30日到2024年9月6日。